Karakteristika for diffuserede silicium tryksensorer

Sammenlignet med sensorer af andre principper har diffuserede silicium tryksensorer følgende egenskaber:

1. Velegnet til fremstilling af sensorer med lille rækkevidde. Den piezoresistive effekt af siliciumchippens kraftfølsomme modstand har ingen dødzone i det lave område nær nul, og tryksensorens rækkevidde kan være så lille som adskillige Kpa.

2. Høj udgangsfølsomhed. Følsomhedsfaktoren for siliciumbelastningsmodstanden er 50-100 gange højere end den for metalstrain gauge, så følsomheden af ​​den tilsvarende sensor er meget høj, og det generelle udgangsområde er omkring 100mv. Derfor er der ingen særlige krav til grænsefladekredsløbet, og det er mere bekvemt at bruge.

3. Høj præcision. Da sensing, følsom konvertering og detektion af sensoren realiseres af den samme komponent, er der ingen mellemliggende konverteringslink, og repeterbarheden og hysteresefejlene er små. Da det monokrystallinske silicium i sig selv har stor stivhed og lille deformation, er god linearitet garanteret.

4. På grund af den lave deformation af arbejdsenheden i størrelsesordenen mikrobelastning er den maksimale forskydning af den elastiske chip i størrelsesordenen sub-mikron, så der er ingen slid, ingen træthed, ingen ældning og servicen levetiden er så lang som 1×103 trykcyklusser, med stabil ydeevne og høj pålidelighed.

5. På grund af siliciums fremragende kemiske anti-korrosionsydelse har selv ikke-isolerede diffuserede silicium tryksensorer en betydelig grad af evne til at tilpasse sig forskellige medier.

6. Da chippen anvender integreret teknologi og ikke har nogen transmissionsdele, er den lille i størrelse og let i vægt.

Ethvert spørgsmål om voresUPB1silicium tryktransmitter, kontakt venligstStella Meng.